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SiC Crystal Growth Furnace

碳化硅电阻炉

碳化硅长晶炉是一种在特定环境下，使碳化硅原料经过气相传输、化学反应等过程，运用电阻加热的方式在籽晶上生长出高品质的碳化硅单晶的设备。

晶锭尺寸

8-12inch
晶锭厚度

20-60mm
控压/控温精度

±1Pa/±0.2℃

高精度智能化控制系统，高效率高稳定性
多温区高精度控温
全自动智能控制系统
支持远程集控
高效率高稳定性
高精度控压

专业模拟软件

采用STR专业模拟软件进行SiC晶体生长全周期模拟，为客户提供全套生长方案。
远程集控

搭载智能控制系统，可实现远程集控。
按需定制

可根据需求，定制不同加热方式（电阻式、电感式）
技术服务

为客户提供热场设计与改良服务，合作攻克工艺难点。

+86-0510-81816658

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